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400G DR4FR4、800G DR8FR8 薄膜LiNbO3强度调制器
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400G DR4FR4、800G DR8FR8 薄膜LiNbO3强度调制器

A-003

产品介绍:

 

首款基于薄膜铌酸锂的400G样品。DSP或者EAM driver单端驱动。

 

集成如下原件：

 

1.集成1x4分束器（DR4）                2.四路MZM调制器

3.输入、输出光功率监测PD              4.模斑转换SSC

5.50欧姆匹配电阻

 

应用领域:

 

数据中心

 

核心指标： 

 

芯片尺寸（DR4）

3.5*6 mm

Vpp需求（ER > 4dB）

1.2 V

RF带宽

45GHz

单个MZM插入损耗

<2 dB

消光比

>25dB

 

 

 

 

 

 

1
产品描述
参数
上一个
单通道折叠LN调制器
下一个
薄膜LiNbO3强度调制器

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