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产品介绍:
基于薄膜铌酸锂(TFLN)的强度调制器。对标传统铌 酸锂, 长度仅传统铌酸锂调制器的 1/3。
应用范围:
模拟通信、强度调制、BPSK相位调制
核心指标:
器件长度
3cm
半波电压
3.2 V(@100 khz)
RF带宽
40 GHz
插入损耗
< 4.5 dB(-55℃~85℃)
消光比
> 20 dB
RF回损
< -10 dB
产品参数:
关键词:
调制器
调制
lt
长度
强度
rf
传统
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400G DR4FR4、800G DR8FR8 薄膜LiNbO3强度调制器
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