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芯片

薄膜LiNbO3强度调制器

首款基于薄膜铌酸锂(LNOI)的强度调制器。对标传统铌酸锂,长度仅有传统铌酸锂调制器的1/3。

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400G DR4FR4、800G DR8FR8 薄膜LiNbO3强度调制器

首款基于薄膜铌酸锂的400G样品。DSP或者EAM driver单端驱动。

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单通道折叠LN调制器

在25G/50G PON中,低插损大带宽的铌酸锂调制器能够满足不同调制格式的需求。

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10G 1270nm DFB

基于独创的设计,具有大的斜率效率

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1342nm、1358nm大功率DFB

1342nm、1358nm大功率DFB 是一系列具有高波长精度的DFB激光器。

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10G 25G高速直调DFB激光器芯片

基于我们独创的设计,我们的DFB激光器具有55dB的边模抑制比,波长精准度可达+/-0.5nm。

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气体检测DFB激光器

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激光雷达种子源

为车载雷达定制的DFB激光器,波长精度高,窄线宽可以CW或脉冲工作。可以提供14pin蝶形封装和TO封装,支持纳秒级脉冲工作。

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FMCW扫频激光器

为车载雷达定制的DBR扫频激光器,出光功率高,波长可实现快速线性扫描;窄线宽支持长距离探测。可以提供蝶形封装。

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EBL光栅代工服务

公司拥有国际先进的磷化铟基半导体生产线,1400平方米百级/千级超净室生产车间、2000多平方米办公/检测厂房,步进光刻机、EBL电子束曝光机等完备齐整的研发制作设备,最高光刻精度<10nm。具备EBL光栅写直、刻蚀等代工服务能力,且能够满足客户的订制要求。

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