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产品介绍：
该产品将一个低RIN激光光源与薄膜铌酸锂调制器共封，同时还有两个MPD监测光源与最终出光功率的大小，为用户节省了空间。该强度调制器基于最先进的薄膜铌酸锂技术，继承了传统体铌酸锂调制器的大部分优点，具有小尺寸、低Vpi、高出光功率、高带宽等优点。与传统铌酸锂调制器相比，该强度调制器可以保持更加稳定的偏置点。
应用范围：
RoF、天线拉远、微波和雷达通信
核心指标：
最大出光 13dBm
ER ＞ 20dB
3dB 带宽 ＞ 20G/40G
交流Vpi ＜ 3.5V
RIN ＜ -160dB/Hz
关键词：
上一个
同侧出纤薄膜LiNbO3强度调制器
下一个
800G/1.6T薄膜LiNbO3调制器芯片（DR8）
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