800G/1.6T薄膜LiNbO3调制器芯片（DR8）
所属分类：
800G/1.6T薄膜LiNbO3调制器芯片（DR8）
产品介绍：
基于薄膜铌酸锂的 800G/1.6T 集成芯片。DSP或者EAM driver单端驱动。
集成如下元件：
1.集成1x8分束器(DR8)
2.八路MZM调制器
3.输入、输出光功率监测PD
4.模斑转换SSC
5.片上50欧姆匹配电阻
应用范围：
8x100G、 8x200G 数据中心应用
核心指标：
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芯片尺寸（DR8） |
5×11.5mm |
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Vpp 需求（ER>4dB） |
1.2 V |
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RF 带宽 |
> 67 GHz |
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单个 MZM 插入损耗 |
< 4.5 dB |
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消光比 |
> 20 dB |
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半波电压 |
< 2.8 V (@100 khz) |
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